1b dram_技術(shù)資訊

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1b dram

消息稱三星芯片部門負責人攜1b DRAM樣品訪問英偉達

網(wǎng)絡(luò)與存儲三星芯片 1b DRAM 樣品英偉達 |2025-02-18
SK海力士實現(xiàn)1c nm制程DRAM內(nèi)存量產(chǎn)

網(wǎng)絡(luò)與存儲 SK海力士 1c納米 DRAM |2025-01-22
?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內(nèi)存，美光成為首要供應(yīng)商

?三星 Galaxy S25 內(nèi)存美光 DRAM LPDDR5X |2025-01-07
買方采購策略調(diào)整，1Q25 DRAM合約價走跌

網(wǎng)絡(luò)與存儲 DRAM TrendForce 集邦咨詢 |2024-12-30
美國商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國生產(chǎn)芯片

EDA/PCB 美國美光科技生產(chǎn)芯片半導(dǎo)體 DRAM 內(nèi)存芯片存儲芯片 |2024-12-11
提高下一代DRAM器件的寄生電容性能

電源與新能源泛林集團 DRAM |2024-11-21
在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應(yīng)商需謹慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利

網(wǎng)絡(luò)與存儲 DRAM TrendForce 集邦咨詢 |2024-11-14
北京君正：21nm DRAM新工藝預(yù)計年底推出

網(wǎng)絡(luò)與存儲北京君正 21nm DRAM |2024-11-14
郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因

EDA/PCB 郭明錤英特爾 Lunar Lake DRAM CPU 封裝 AI PC LNL |2024-11-06
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

網(wǎng)絡(luò)與存儲鎧俠存儲技術(shù) DRAM MRAM 3D堆疊 |2024-10-24
HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升

網(wǎng)絡(luò)與存儲 HBM DRAM TrendForce |2024-10-17
三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計算

網(wǎng)絡(luò)與存儲三星 24Gb GDDR7 DRAM 人工智能計算 |2024-10-17
TrendForce：內(nèi)存下半年價格恐摔

網(wǎng)絡(luò)與存儲 TrendForce 內(nèi)存 DRAM |2024-08-30
SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM

網(wǎng)絡(luò)與存儲 SK海力士第六代 10納米級 DDR5 DRAM |2024-08-29
第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增24.8%，預(yù)期第三季合約價將上調(diào)

網(wǎng)絡(luò)與存儲 DRAM TrendForce 集邦咨詢 |2024-08-16
imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

EDA/PCB imec High-NA EUV DRAM |2024-08-13
外媒：三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM

手機與無線通信三星手機芯片 LPDDR5X DRAM |2024-08-07
HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢可期

網(wǎng)絡(luò)與存儲 HBM DRAM 美光 |2024-07-18
圓滿收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力

網(wǎng)絡(luò)與存儲紫光國芯慕尼黑電子展 DRAM SeDRAM CXL |2024-07-11
內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

網(wǎng)絡(luò)與存儲 HBM 3D DRAM |2024-07-08
服務(wù)器支撐下半年需求，預(yù)估DRAM價格第三季漲幅達8-13%

網(wǎng)絡(luò)與存儲服務(wù)器 DRAM TrendForce |2024-06-27
SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%

網(wǎng)絡(luò)與存儲 SK海力士 3D DRAM |2024-06-26
云端CSPs將擴大邊緣AI發(fā)展，帶動2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達7%

網(wǎng)絡(luò)與存儲云端 CSPs 邊緣AI DRAM TrendForce |2024-06-26
HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價美光股價飆漲

網(wǎng)絡(luò)與存儲 HBM DRAM 美光 |2024-06-25
美光后里廠火災(zāi) 公司聲明營運未受任何影響

網(wǎng)絡(luò)與存儲美光 DRAM |2024-06-21
通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開工率維持 80~90%

網(wǎng)絡(luò)與存儲 DRAM 閃存三星海力士 |2024-06-19
合約價勁漲護身 DRAM不怕淡季 Q1營收季增

網(wǎng)絡(luò)與存儲存儲器 DRAM TrendForce |2024-06-17
合約價上漲抵消淡季效應(yīng)，推升DRAM第一季營收季增5.1%

網(wǎng)絡(luò)與存儲淡季效應(yīng) DRAM TrendForce 集邦咨詢 |2024-06-13
南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)

網(wǎng)絡(luò)與存儲南亞科技內(nèi)存 DRAM |2024-05-30
美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠

網(wǎng)絡(luò)與存儲美光 DRAM 日本 EUV |2024-05-29
HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年可望供不應(yīng)求

網(wǎng)絡(luò)與存儲 HBM DRAM TrendForce |2024-05-21
三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

三星 SK海力士內(nèi)存 DRAM HBM |2024-05-16
SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存

網(wǎng)絡(luò)與存儲海力士三星 DRAM |2024-05-14
第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

網(wǎng)絡(luò)與存儲 DRAM NAND Flash TrendForce |2024-05-07
2025年HBM價格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成

網(wǎng)絡(luò)與存儲 HBM DRAM TrendForce |2024-05-06
SK海力士計劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地

網(wǎng)絡(luò)與存儲 SK海力士 AI DRAM |2024-04-25
存儲大廠技術(shù)之爭愈演愈烈

網(wǎng)絡(luò)與存儲存儲器 DRAM TrendForce |2024-04-15
美光：預(yù)計臺灣地區(qū)地震對本季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成中等個位數(shù)百分比影響

網(wǎng)絡(luò)與存儲 DRAM 閃存美光 |2024-04-12
3D DRAM進入量產(chǎn)倒計時

網(wǎng)絡(luò)與存儲 3D DRAM |2024-04-12
加注西安工廠美光期待引領(lǐng)創(chuàng)芯長安

網(wǎng)絡(luò)與存儲美光 DRAM |2024-04-03

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